星城貿易有限公司
STARCITY TRADING LIMITED
提升人工智能 (AI)的能力
加速、扩展并确保超级计算和 AI 技术
超级计算和基于 AI 技术的发展需要高水准的内存，以满足行业对带宽、容量和效率的需求。
HBM2E Flashbolt 能够提升 AI 的能力，通过其扩展的容量处理更多大数据，并提供高带宽。
高性能计算的驱动力
三星凭借在 AI 算法、数据科学、自动驾驶、
第五代移动通信技术 (5G) 等多个行业实现优质技术进步的经验，
推出了 HBM2E 解决方案，再次确立了其在内存行业的地位。
用于高级任务的高带宽
HBM2E Flashbolt 的处理速度为 3.6 千兆比特每秒 (Gbps)，速度约是上一代 HBM 速度的 1.5 倍。
除此之外，HBM2E Flashbolt 还通过硅通孔 (TSV) 技术实现了高带宽，
有助于快速处理大量数据，将 AI 训练效率提高了 6 倍*左右。
* 数据基于云服务中 8 个图形处理器 (GPU) 与 72 个中央处理器 (CPU) 的比较得出
双倍容量，处理更多数据
通过叠加 8 层 10 纳米级 16 千兆比特 (Gb) 动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片，HBM2E Flashbolt 提供了约两倍于上一代 HBM 解决方案的容量。
更大容量使得深度神经网络得以进一步发展，大大提高了大数据分析获取结果的速度。
※ 来源于三星电子数据表（可根据要求提供）
更高性能，更低能耗
与上一代 HBM 解决方案相比，
HBM2E Flashbolt 在能效方面提高了约 18%，
并增加了约 1K 的电源凸块。
这确保了更安全的电力供应，
消耗更少的能源。
※ 来源于三星电子数据表（可根据要求提供）
片内集成纠错功能(On Die ECC) 提供更高可靠性
HBM2E Flashbolt 通过 On Die ECC 解决方案提供高可靠性和稳定性。
ODECC 支持内部错误的自我校正，以增强损坏数据的恢复，
并降低刷新频率。
单比特错误也同样减少，实现了数据可靠性的整体提升。
SK hynix - DRAM - HBM - HBM2E
The Fastest DRAM solution
SK hynix's 1ynm 16Gb HBM2E is the industry's fastest memory at 3.6Gbps in I/O speed, processing 460GB of data per second using 1,024 I/Os. With 36% better heat dissipation than the previous HBM2, our new HBM2E is a truly efficient memory with robust performance for your system.
HBM Performance Trend
SK hynix leads the HBM market with ambitious for even faster HBM solutions: Our HBM3, under development, will be capable of processing data at a rate of 819GB/s or higher with 6.4Gbps speeds per pin. With over 2x power efficiency for the same workload as DDR or GDDR, HBM reduces overall TCO – capturing the essence of our Memory ForEST* initiative.
Thermal Improvement
Our HBM2E has 36% better heat dissipation than HBM2, which allows it to stay on average 14 degrees celsius cooler under the same operating conditions.
Up to 9x Bandwidth, 2x Gen-on-Gen Capacity Improvement
Compared to the 2.4GB/s bandwidth of DDR5 and 64GB/s of GDDR6, HBM2E can perform up to 9x faster, processing 460GB of data per second. HBM2E also doubles the density over the previous-gen HBM2 by realizing a 16GB solution with a combination of eight 16Gb DRAM die, compared to the 8Gb core die density on the HBM2.
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